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BPW85B
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$24.070 |
| 10+ | NT$15.470 |
| 25+ | NT$14.250 |
| 50+ | NT$13.030 |
| 100+ | NT$11.820 |
| 500+ | NT$10.030 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$24.07
品項附註
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產品總覽
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 4mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
技術規格
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000171