寬能隙 onsemi™
寬能隙技術 – 促成大趨勢應用誕生
碳化矽 (SiC) 與氮化鎵（GaN 閘極驅動器）是高效能功率轉換與電動車的新一代材料
onsemi 的新一代寬能隙產品組合
寬能隙 (WBG) 材料能為未來應用的高效能供電，適用領域例如汽車電氣化、太陽能與風力發電、雲端運算、EV（電動車）充電、5G 通訊及其他許多。onsemi 正為通用標準的開發作出貢獻，協助推動採行寬能隙 (WBG) 電源技術。
寬能隙技術可提供卓越性能
- 切換更快
- 功率損耗更低
- 功率密度增加
- 操作溫度更高
能配合設計需求
- 高效率
- 緊湊型解決方案
- 重量更輕
- 系統成本降低
- 可靠性增加
應用
- 太陽能與風力發電
- 汽車電氣化
- 馬達驅動
- 雲端運算
- 電動車輛充電
- 5G 通訊
完整產品組合
- 650V、900V 及 1200V SiC MOSFET
- 650V、1200V 及 1700V SiC 二極體
- SiC、 GaN 及電氣隔離高電流閘極驅動器
- SiC 電源模組
- 汽車 IGBT 與 SiC Copack 二極體
模組產品族系
SiC 模組含有 SiC MOSFET 和 SiC 二極體。升壓模組用於太陽能逆變器的 DC-DC 級。這些模組使用 SiC MOSFET 和 SiC 二極體，電壓額定值為 1200 V。
Si/SiC 混合模組含有 IGBT、矽二極體和 SiC 二極體。用於太陽能逆變器的 DC-AC 級、儲能系統和不斷電供應系統。
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驅動器產品族系
onsemi 出品的閘極驅動器產品組合包括 GaN 閘極驅動器、IGBT、FET、MOSFET、半橋 MOSFET 及 SiC MOSFET 逆變與非逆變驅動器，是切換應用的理想選擇。onsemi 閘極驅動器的功能和特色包括高系統效率和高可靠性。
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GaN 產品族系
onsemi 所出品閘極驅動器產品組合因有理想的效能特性，故能符合特定應用的要求，包括汽車電源、HEV/EV 牽引逆變器、EV 充電器、諧振轉換器、半橋及全橋轉換器、源鉗位返馳轉換器、推拉輸出電路等諸多項目。
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