650 V GaN FET – 從發明到投產
概述
e絡盟與離散與 MOSFET 元件和類比及邏輯 IC 專家 Nexperia 結為合作夥伴，榮譽推出具有領導產業級效能的高效率 GaN FET。
高效用電是業界一大挑戰，也是主導的創新因素。社會壓力與法令要求，功率轉換的效率與控制能力必須提高。對部分應用而言，功率轉換效率與功率密度是受到市場採納的關鍵。主要範例包括汽車電氣化，以及高電壓通訊與產業基礎設施市場區塊的趨勢。GaN FET 可促成系統更小、更快、更涼、更輕，同時降低整體系統成本。
為物聯網基礎設施提供技術支援
要如我們要求，擁有始終可用的雲端連線、處理能力和儲存空間，需要可觀的電力。需要有非常高效的高端電源，方能做到為產業自動化、資料中心和電信基礎設施降低功率耗散。也因此，GaN-on-Si 的增進密度、高效功率轉換非常關鍵。
動力系統的電氣化
對當今的汽車來說，排放每一公克 CO₂ 都很要緊，因而帶動車輛走向電氣化的趨勢。從混合直到純電車輛，動力系統的電氣化預計將主佔未來二十年之間功率半導體市場的成長。GaN-on-Si 的功率密度和效率在此領域將扮演領導角色，尤其是車載充電器（電動車充電）、DC/DC 轉換器和馬達驅動牽引逆變器（xEV 牽引逆變器）。
產品
Nexperia 目前的 GAN FET 產品和發展藍圖主要重點放在提供可靠的產品，以支援汽車與物聯網基礎設施應用。GaN 程序技術是基於我們強健並且通過實證考驗的程序，造就現在領導業界的電力 GaN FET。
特色與優點：
- 輕鬆閘級驅動，低 RDS(on)、快速切換
- 卓越的本體二極體（低 Vf），低 Qrr
- 高度耐用
- 低動態 RDS(on)
- 穩定切換
- 穩健的閘極彈跳免疫力（Vth ~ 4 V）
| GAN063-650WSA | GGAN041-650WSB | |
|---|---|---|
| VDS | 650 V | 650V |
| RDS(on) 最大值 | 60 mΩ | 41 mΩ |
| 包裝 | TO-247 (SOT429) | TO-247 (SOT429) |
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放眼未來而開發
MOSFET 和 GaN FET 應用手冊
